2017年本實驗室於暨南大學成立後, 致力於寬能隙(Wide Bandgap)非晶氧化物(AOS)半導體(Ex. ZnO/InGaZnO/ZnSnO)於光電元件之應用. 本實驗室內部上有基本元件量測系統(Ex. 電流-電壓/電流-時間/Responsivity), 材料光學檢測系統(Ex.PL/Raman), 元件製作設備(Ex.熱蒸鍍機/高溫爐管/高溫烘箱/Spin coater), 可供基本元件製作與量測之研究, 外部上與各大專院校/工業界合作, 在基本元件架構下(Ex. p-n type/Schottky Type/MSM type)使用新穎材料(Ex.石墨烯/鈣鈦礦)來發展次世代的元件,期能培養學生具備半導體製作/量測/分析能力,對學界及工業界創造新猷.
近三年重要的代表性研究成果:
- 氧化物半導體光偵測器陣列
“An easily processable Cu2O/Si self-powered photodetector array for image sensing applications” ACS Applied Electronic Materials, 4, 1335-1342, 2022.
- 水平式自供電氣體感測器
“Realization of a Self-powered Cu2O Ozone Gas Sensor through the Lateral Photovoltaic Effect” Journal of Materials Chemistry C, 10, 16517, 2022.
- X-ray光感測器
“X-Ray Detectors Based on Amorphous InGaZnO Thin Films” IEEE Electron Devices Society, 70, 7, 2023.
- 可撓式氣體感測器
“Photochemically activated Mn3O4 thin films that are produced using SILAR for highly stable flexible gas sensors” IEEE Sensors Journal, 23, 23001, 2023.
